Quá trình điện phân để mạ đồng lên tấm huy chương hình trụ, đáy tròn với bán kính 2,5 cm, chiều cao hình trụ 0,3 cm với lớp mạ dày 0,1 cm được mô tả như hình sau:
Tiến hành điện phân dung dịch $CuS{O}_4$ 0,5M với cường độ dòng điện không đổi 2 ampe, khi kết thúc điện phân (quá trình mạ hoàn thành) thì thời gian là t giây. Biết khối lượng riêng của đồng là 8,95 gam/cm³ và hiệu suất điện phân là 100%, giả thiết lớp mạ huy chương dày như nhau, toàn bộ lượng đồng tạo ra đều bám hết vào tấm huy chương. Cho biết: Số mol electron mà nguyên tử hoặc ion đã cho hoặc nhận tính bằng công thức n = I.t/F, trong đó I là cường độ dòng điện (ampe), t là thời gian (giây), F = 96500, π = 3,14.

a) Đúng, tại anode: Cu → Cu${}^{2+}$ + 2e, không có khí O${}_2$ thoát ra.
b) Đúng
c) Đúng
Trước mạ: r = 2,5 cm; h = 0,3 cm → V = 5,8875 cm${}^3$
Sau khi mạ: r = 2,5 + 0,1 = 2,6 cm; h = 0,3 + 0.1.2 = 0,5 cm → V = 10,6132
(Công thức V = πr${}^2$h, trong đó π = 3,14)
→ mCu = 8,95(V sau – V trước) = 42,295015 gam
mCu = 64It/2F → t = 63773s
d) Sai, chiều dòng electron di chuyển từ thanh Cu, qua nguồn điện đến tấm huy chương. Nguồn điện đóng vai trò giống như “máy bơm” electron.
a) Đúng, tại anode: Cu → Cu${}^{2+}$ + 2e, không có khí O${}_2$ thoát ra.
b) Đúng
c) Đúng
Trước mạ: r = 2,5 cm; h = 0,3 cm → V = 5,8875 cm${}^3$
Sau khi mạ: r = 2,5 + 0,1 = 2,6 cm; h = 0,3 + 0.1.2 = 0,5 cm → V = 10,6132
(Công thức V = πr${}^2$h, trong đó π = 3,14)
→ mCu = 8,95(V sau – V trước) = 42,295015 gam
mCu = 64It/2F → t = 63773s
d) Sai, chiều dòng electron di chuyển từ thanh Cu, qua nguồn điện đến tấm huy chương. Nguồn điện đóng vai trò giống như “máy bơm” electron.